開(kai)關(guan)電(dian)(dian)源作為運用于開(kai)關(guan)狀況(kuang)的(de)能量轉化(hua)設備(bei)，開(kai)關(guan)電(dian)(dian)源的(de)電(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)流(liu)改變(bian)率很高，所(suo)以產生的(de)干擾強度(du)也比較大。
干擾(rao)源主(zhu)要會集(ji)在(zai)功率(lv)開關期間(jian)以及與之相(xiang)連的(de)(de)散(san)熱器和高平變壓器，相(xiang)關于數(shu)字電路干擾(rao)源的(de)(de)方位較(jiao)為清(qing)楚。開關頻率(lv)不高（從幾十千赫和數(shu)兆赫茲），主(zhu)要的(de)(de)干擾(rao)形式(shi)是傳(chuan)導干擾(rao)和近場干擾(rao)。而印(yin)刷線(xian)路板（PCB）走線(xian)通常選用(yong)手工(gong)布線(xian)，具有**的(de)(de)隨意性，這增加了(le) PCB 散(san)布參數(shu)的(de)(de)提取和近場 干擾(rao)估量的(de)(de)難度。
1MHZ 以內：以差模干擾為主，增大 X 電容就(jiu)可處理；
1MHZ—5MHZ：差模共模混合(he)，選用(yong)輸入端并一系列X電容來濾除差摸干(gan)擾并分析(xi)出是哪種(zhong)干(gan)擾超(chao)支并處理;
5M：以(yi)(yi)上以(yi)(yi)共(gong)摸干擾為主，選用(yong)抑制共(gong)摸的辦法。關于(yu)外殼接(jie)地的，在地線上用(yong)一個磁盤繞2圈會對10MHZ以(yi)(yi)上干擾有較大的衰減（diudiu2006）;
關于25--30MHZ不過能夠選(xuan)用加大(da)對地Y電(dian)容(rong)、在變壓(ya)器外(wai)面包銅皮(pi)、改變PCBLAYOUT、輸出線前面接一個雙線并繞(rao)的小磁環，最少繞(rao)10圈、在輸出整流管兩頭并 RC 濾波器。
30—50MHZ：遍及(ji)是(shi) MOS 管高速注(zhu)冊關斷引起，能夠用(yong)增大MOS驅動電阻，RCD緩沖電路選用(yong) 1N4007慢(man)管，VCC供電電壓用(yong) 1N4007慢(man)管來處理。
100—200MHZ：遍及是輸出整(zheng)流(liu)管(guan)反向恢復電流(liu)引起(qi)，能夠在整(zheng)流(liu)管(guan)上串(chuan)磁珠
100MHz—200MHz：之間大部分(fen)出(chu)于 PFCMOSFET及PFC二(er)極管(guan)，現(xian)在MOSFET及PFC二(er)極管(guan)串磁珠有作用(yong)，水平方向(xiang)基(ji)本能夠(gou)處(chu)理問(wen)題，但筆直方向(xiang)就(jiu)沒辦法了。
開關電源(yuan)的輻射一般只(zhi)會影響(xiang)到 100M 以下的頻段。也能(neng)夠在 MOS，二(er)極管上加(jia)相應吸收(shou)回路(lu)，但效率會有所下降。
設計開關電源時防止 EMI 的措施
1.把噪音電路節點的(de) PCB 銅箔面積**極(ji)限地減(jian)小;如開關(guan)管的(de)漏極(ji)、集電極(ji)，初次級(ji)繞組的(de)節點，等。
2.使輸入和輸出端遠離(li)噪音元件(jian)，如變(bian)壓器線包，變(bian)壓器磁(ci)芯，開(kai)關管的散熱片，等等。
3.使(shi)噪音(yin)元(yuan)件（如未(wei)遮蓋(gai)的變壓器(qi)線包，未(wei)遮蓋(gai)的變壓器(qi)磁芯，和開關管，等等）遠(yuan)離外(wai)殼邊(bian)際，因為在正常操作(zuo)下外(wai)殼邊(bian)際很可能(neng)靠近(jin)外(wai)面的接(jie)地線。
4.如(ru)果變壓器(qi)沒有運用電場屏(ping)(ping)蔽(bi)，要(yao)堅持(chi)屏(ping)(ping)蔽(bi)體和散熱片遠離變壓器(qi)。
5.盡量(liang)減(jian)小以(yi)下(xia)電流(liu)(liu)環的面積：次級（輸(shu)出）整(zheng)流(liu)(liu)器，初級開關功率器材(cai)，柵(zha)極（基極）驅動線路(lu)，輔佐整(zheng)流(liu)(liu)器。
6.不要將門極(ji)（基(ji)極(ji)）的驅動返饋環路和初級開(kai)關電(dian)路或輔佐整流電(dian)路混在一同。
7.調整優化阻尼電阻值，使它在(zai)開(kai)關的死區時間里不產(chan)生振鈴響(xiang)聲(sheng)。
8.防止(zhi) EMI 濾波電(dian)感飽滿。
9.使(shi)拐(guai)彎節點和次級(ji)電(dian)路的(de)元件(jian)遠離(li)初級(ji)電(dian)路的(de)屏蔽體(ti)或許開關管的(de)散熱片。
10.堅(jian)持初(chu)級電路的(de)擺動的(de)節(jie)點和元件(jian)本體遠離(li)屏蔽或(huo)許散熱片。
11.使高頻輸(shu)入(ru)的 EMI 濾波器(qi)靠近輸(shu)入(ru)電纜或許連接(jie)器(qi)端。
12.堅持高頻輸出的 EMI 濾波(bo)器靠(kao)近(jin)輸出電線(xian)端子。
13.使 EMI 濾波器對面的 PCB 板的銅箔和元件本體之間堅(jian)持一定距離。
14.在輔佐線(xian)圈的(de)整(zheng)流器的(de)線(xian)路上放一些電阻。
15.在磁棒線圈上并聯(lian)阻(zu)尼電阻(zu)。
16.在(zai)輸(shu)出 RF 濾波器兩頭并聯阻尼電阻。
17.在(zai)(zai) PCB 設計時答應放 1nF/500V 陶瓷電(dian)容器(qi)或許還能夠是一(yi)串(chuan)電(dian)阻，跨接在(zai)(zai)變(bian)壓(ya)器(qi)的初級(ji)的靜端和輔佐(zuo)繞組之間。
18.堅持 EMI 濾(lv)波器遠離功(gong)率變(bian)壓(ya)器;尤其是防止定位在繞(rao)包的端(duan)部。
19.在(zai) PCB 面積滿(man)足的(de)情況下，可在(zai) PCB 上(shang)留下放(fang)屏蔽繞(rao)組(zu)用的(de)腳位(wei)和放(fang) RC 阻(zu)尼(ni)(ni)器的(de)方位(wei)，RC 阻(zu)尼(ni)(ni)器可跨接(jie)在(zai)屏蔽繞(rao)組(zu)兩頭。
20.空間(jian)答(da)應的話(hua)在開(kai)關功(gong)率場效應管的漏極和門(men)極之(zhi)間(jian)放一個小(xiao)徑向引線電容器（米勒電容，10 皮法(fa)/1 千伏電容）。
21.空間答應(ying)的(de)話放一個小的(de) RC 阻尼器在直(zhi)流輸出端。
22.不要(yao)把 AC 插座與初級開關管的散熱(re)片(pian)靠在一同。
